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高頻開(kāi)關(guān)充電裝置結合脈寬調制(PWM)技術(shù)的研究和應用,使開(kāi)關(guān)電源迅速發(fā)展。目前,開(kāi)關(guān)頻率提高到25~500kH。左右,功率開(kāi)關(guān)管器件已將縱向金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他新型器件等用于高頻開(kāi)關(guān)電源回路,進(jìn)一步提高了開(kāi)關(guān)頻率及技術(shù)性能,使電源設備更小型化、輕量化。高頻開(kāi)關(guān)整流裝置種類(lèi)較多,其性能指標比以往的可控硅整流器和硅整流器等優(yōu)越,詳細比較見(jiàn)表6-4。
表6-4 高頻開(kāi)關(guān)整流裝置和可控硅、硅整流器充電裝置技術(shù)指標比較